https://www.icgamma.ru/brands/sipeed/?erid=2W5zFGDqcBr

Полупроводниковая микроэлектроника – 2025 г. Часть 2.2. Стремительная эволюция технологий и приборов на основе широкозонных полупроводников

Мировая полупроводниковая отрасль в производстве ШЗП переходит на пластины диаметром 200–300 мм, что приведет к снижению себестоимости, рыночным ценам чипов и росту конкуренции. Компания Onsemi анонсирует высоковольтную вертикальную технологию GaN-on-GaN. Совершенствующаяся технология GaN-on-QST в ближайшие годы изменит мировой рыночный ландшафт в производстве GaN-продукции и в бизнес-моделях развития компаний за счет лишения имеющихся преимуществ IDM-компаний. Технологии и продукция на основе широкозонных полупроводников SiC и GaN развиваются ускоренными темпами, а исследования с новыми материалами AlN, ScAlN переходят на прикладной этап.

Полупроводниковая микроэлектроника – 2025 г. Часть 2.1. Китай обваливает мировые цены широкозонных полупроводников, приводит лидеров рынка к банкротству и вынуждает их менять стратегии развития

Мировой рынок широкозонных полупроводников (ШЗП) демонстрирует высокие темпы роста и перспективы. В ближайшие годы карбид кремния и нитрид галлия как представители ШЗП начнут конкурировать между собой за применение в автомобильном секторе и центрах обработки данных (ЦОД), став основными катализаторами роста рынка для нитрида галлия. Китай интенсивно осваивает и развивает этот рынок, создает жесткую ценовую конкуренцию не только по продукции на основе ШЗП, но и в сферах их применения, в том числе в электромобилях. Резкое снижение мировых цен китайскими компаниями приводит к банкротству компании Wolfspeed – мирового лидера производства SiC-изделий, уходу компании TSMC с рынка контрактного GaN-фаундри-бизнеса, а Renesas – к отказу от развития SiC-технологии.