ASR4N1200HEP04-X（Easy3B) I 型三电平拓扑适用固态变压器SST、光伏逆变器

06/04 08:02 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASR4N1200HEP04-X（Easy3B) I 型三电平拓扑适用固态变压器SST、光伏逆变器

1.65 MB

ASR4N1200HEP04-X（HEP封装，适配Easy3B）

1200V / 380A
R_DS(on)@25℃：4mΩ
大功率密度、大电流场景首选，适配大功率光伏逆变器、储能PCS

核心亮点

自研1200V SiC MOSFET 芯片，I 型三电平拓扑，低至4mΩ超低导通电阻。

低寄生电感结构，抑制过冲与EMI，系统更稳定。
支持高温高频运行，散热压力更小、整机更紧凑。
工业标准封装，兼容现有设计，升级不改板、周期更短。
车规级工艺+可靠焊接，长期运行更稳定。

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应用价值
- 转换效率更高，发电/放电收益更优
- 开关损耗更低，散热系统大幅简化
- 体积更小、功率密度更高，设备更紧凑
- 兼容现有设计，降低改板成本、缩短开发周期
- 国产自研 + 稳定供应链，交期更短、服务更及时
适用场景
- 光伏逆变器
- 储能PCS
- 直流快充桩
- 固态变压器
- 电机驱动
- 高压直流供电系统

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