碳化硅MOS栅极驱动器2CG010BBC13N是双通道栅极驱动适用于SiC模块

具备高耐压、低寄生电容特性，适合 SiC MOSFET 与 IGBT 的栅极驱动应用。

特性

• 适配：IGBT、碳化硅 MOSFET
• 栅极电压：+18V / -4V
• 一体化设计：内置隔离 DC/DC + 栅极驱动电路
• 寄生电容约 12pF，抗共模干扰能力强
• 响应速度：典型值约 100ns
• 原副边信号：高速隔离器
• 输入 - 输出耐压：AC 5000V
• 通道间耐压：AC 4000V
• 输入 - 输出绝缘距离：间隙 14mm / 爬电 16mm
• 通道间绝缘距离：间隙 7mm / 爬电 12mm
• DC/DC 输入：13~28V
• 信号输入：3.3V / 5V
• DC/DC：过流、过热保护
• 栅极：半桥模式、去饱和保护、软关断、故障输出、米勒钳位、欠压锁定（UVLO）
• 防潮绝缘涂层
• 安全标准：UL508（仅 DC/DC）
• 绝缘等级：IEC 60664-1 加强绝缘
• UL 认证：UL1741、UL508 等

应用