AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表

2023/04/25 作者：恩智浦

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AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表

适用于频率从136到520 MHz的移动双向无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使它们非常适用于移动无线电设备中大信号的共源放大器应用。

特点：

适用于136到520 MHz的操作
无与伦比的输入和输出，使其可以广泛利用于不同频率范围
集成ESD保护
集成稳定性增强
宽带 - 全频段全功率支持：
- 136-174 MHz
- 380-450 MHz
- 450-520 MHz
225℃可靠的塑料封装
出色的热性能
高线性度，适用于TETRA、SSB、LTE
成本效益高的过模制塑料封装
带卷轴胶带包装。R1后缀 = 500个单位，胶带宽度24 mm，13英寸卷轴。

推荐器件

更多器件

器件型号	数量	器件厂商	器件描述	数据手册	ECAD模型	风险等级	参考价格	更多信息
VS-30TPS12L-M3	1	Vishay Intertechnologies	Silicon Controlled Rectifier,				$3.11	查看
MBR0530-TP	1	Micro Commercial Components	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2				$0.29	查看
1051330001	1	Molex	MICRO USB B REC. VERTICAL TYPE		ECAD模型下载ECAD模型		$0.67	查看

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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