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MRFE6VP61K25N,MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册

2023/04/25
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MRFE6VP61K25N,MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册

射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。

特点

  • 无与伦比的输入和输出,可实现广泛频率范围的利用
  • 设备可单端使用或采用推挽配置
  • 最大50 VDD操作的合格化
  • 在30到50 V范围内进行特性化,以扩展功率范围
  • 适用于具有适当偏置的线性应用
  • 集成ESD保护,具有更大的负栅源电压范围,以改善C类操作
  • 使用系列等效大信号阻抗参数进行特性化
  • 推荐驱动器:AFT05MS004N(4 W)或MRFE6VS25N(25 W)

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
CRCW12060000Z0EAHP 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.75W, 0ohm, Surface Mount, 1206, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

ECAD模型

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$0.33 查看
EZADT31AAAJ 1 Panasonic Electronic Components RC Network, RC Low Pass Filter, 0.063W, 100ohm, 12V, 0.000022uF, Surface Mount, 10 Pins, CHIP
暂无数据 查看
GCM31CR71C106KA64L 1 Murata Manufacturing Co Ltd Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 16V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 10uF, Surface Mount, 1206, CHIP, ROHS COMPLIANT

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$0.45 查看
恩智浦

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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