射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
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射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRCW12060000Z0EAHP | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.75W, 0ohm, Surface Mount, 1206, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.33 | 查看 | |
| EZADT31AAAJ | 1 | Panasonic Electronic Components | RC Network, RC Low Pass Filter, 0.063W, 100ohm, 12V, 0.000022uF, Surface Mount, 10 Pins, CHIP |
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暂无数据 | 查看 | |
| GCM31CR71C106KA64L | 1 | Murata Manufacturing Co Ltd | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 16V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 10uF, Surface Mount, 1206, CHIP, ROHS COMPLIANT |
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$0.45 | 查看 |
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