MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表

这些高坚固性的设备是设计用于高驻波比工业(包括激光和等离子体激励器)，广播(模拟和数字)，航空航天和无线电/陆地移动应用。它们是不匹配的输入和输出设计允许宽频率范围利用，在1.8和600 MHz。

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器件型号	数量	器件厂商	器件描述	数据手册	ECAD模型	风险等级	参考价格	更多信息
BSS123TA	1	Diodes Incorporated	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,		ECAD模型下载ECAD模型		$0.45	查看
FDLL4148	1	onsemi	High Conductance Fast Diode, 2500-REEL		ECAD模型下载ECAD模型		$0.11	查看
C3225X7S2A475K200AB	1	TDK Corporation	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 100V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7S, 22% TC, 4.7uF, Surface Mount, 1210, CHIP, HALOGEN FREE, ROHS AND REACH COMPLIANT		ECAD模型下载ECAD模型		$1.21	查看

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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