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扫码加入MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册
射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RCNL25R0F03R0KTT | 1 | American Technical Ceramics Corp | RC Network |
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$3.98 | 查看 | |
| GRM155R71C224KA12D | 1 | Murata Manufacturing Co Ltd | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 16V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.22uF, Surface Mount, 0402, CHIP |
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$0.07 | 查看 | |
| DB35-10 | 1 | SEMIKRON | Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, 28.50 X 28.50 MM, 10 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-5 |
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$3.41 | 查看 |
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