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YEUP04224R05B

 Package : P0402; Configuration : Bi-Dir; Typical Capacitance at 1MHz (pF) : 0.05; VRWM, Reverse St
THINKING

S310S-A

 VRRM V : 100; IO(Max) A : 3; IFSM A : 80; VF @ IF (Max) V : 0.85; VF @ IF A : 3; IR@VR(Max) uA : 50; IR@VR V : 100; Package : SOD-123S; AEC-Q Qualified : NO;
YEASHIN

WNSC2M43065TT

 Package:: TOLT; Product Status:: New Product; Configuration:: Single; VDS(V):: 650; RDS(ON)@15Vgs (mΩ):: 43; RDS(ON)@18Vgs (mΩ):: 34.5; Vth(typ) (V):: 2.6; ID(A):: 81; Qg(nC):: 73; Tj(max)(℃):: 175; Qualification:: Industrial;
WEEN

YEUD1020509AB

 Package : DFN1006-2; Configuration : Bi-Dir; Typical Capacitance at 1MHz (pF) : 0.5; VRWM, Reverse Stand off Voltage (V) : 5; VBR@IT, Min. Breakage Voltage (V) : 5; IR, Max. Reverse Leakage Current (uA) : 0.5; Peak Pulse Power at 8/20us (W) : 70; Peak Pulse Current at 8/20us (A) : 9; AEC-Q101 : No;
THINKING

VS11240GPH

 Package : PDFN5060X;Type : NMOS;BVDSS[V] : 100.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

MBR20150CD2

 VRRM V : 150; IO(Max) A : 20; IFSM A : 200; VF @ IF (Max) V : 0.92; VF @ IF A : 20; IR@VR(Max) uA : 50; IR@VR V : 150; Package : TO-263AB; AEC-Q Qualified : NO;
YEASHIN

YS6909L

 Configuration : Single; MOSFET Type : P; ESD : No; VDS V : -60; VGS V : ±20; Vth (Min) V : -1; Vth
YEASHIN

VS3640BC

 Package : SOT23;Type : NMOS;BVDSS[V] : 30.00;BVGS[V] : 12.00;
VGSEMI

TXG4021-Q1

 具有 1/1 配置的汽车级 ±40V、2 位固定方向接地电平转换器
TI

YSE2320WKL

 Configuration : Single; MOSFET Type : N; ESD : Yes; VDS V : 20; VGS V : ±8; Vth (Min) V : 0.3; Vth
YEASHIN

VSB004N04MS5

 Package : DFN3x3E-8L;Type : NMOS;BVDSS[V] : 40.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

VSD550N60HS

 Package : TO-252;Type : NMOS;BVDSS[V] : 600.00;BVGS[V] : 30.00;
VGSEMI

VS3836DB

 Package : DFN3x3;Type : Asymmetric-N;BVDSS[V] : 30.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

VSM006N15HS-G

 Package : TO-263;Type : NMOS;BVDSS[V] : 150.00;BVGS[V] : 25.00;
VGSEMI

VSD007N06MS-G

 Package : TO-252;Type : NMOS;BVDSS[V] : 60.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI
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