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VSZ1K5N70HS2

 Package : SOT223-2L;Type : NMOS;BVDSS[V] : 700.00;BVGS[V] : 30.00;
VGSEMI

DBF31

 VRRM V : 100; IO(Max) A : 3; IFSM(Max) A : 110; VF @ IF (Max) V : 1; VF @ IF A : 3; IR@VR(Max) uA : 5; Package : DBF; AEC-Q Qualified : NO;
YEASHIN

YEUSD320507AG

 Package : SOD-323; Configuration : Bi-Dir; Typical Capacitance at 1MHz (pF) : 0.6; VRWM, Reverse Stand off Voltage (V) : 5; VBR@IT, Min. Breakage Voltage (V) : 6; IR, Max. Reverse Leakage Current (uA) : 0.5; Peak Pulse Power at 8/20us (W) : 100; Peak Pulse Current at 8/20us (A) : 7; AEC-Q101 : No;
THINKING

VS3652DB

 Package : DFN3x3;Type : Asymmetric-N;BVDSS[V] : 30.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

S310HE-A

 VRRM V : 100; IO(Max) A : 3; IFSM A : 65; VF @ IF (Max) V : 0.85; VF @ IF A : 3; IR@VR(Max) uA : 500; IR@VR V : 100; Package : SOD-123HE; AEC-Q Qualified : YES;
YEASHIN

VSN1R8N06HS-G

 Package : TO-262;Type : NMOS;BVDSS[V] : 60.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

VSU040N65HS-F

 Package : TO-247;Type : NMOS;BVDSS[V] : 650.00;BVGS[V] : 30.00;
VGSEMI

10-EZ12PNB025M701-PS09C78T

 IGBT M7 Easy paralleling Low turn-off losses Low collector emitter saturation voltage Positive temperature coefficient Short tail current Switching optimized for EMC
VINCOTECH

VS4N65AI

 Package : TO-251SL;Type : NMOS;BVDSS[V] : 650.00;BVGS[V] : 30.00;
VGSEMI

WG75S65HFW1

 Package:: TO247; Technology:: Trench Field-stop; Build-in Diode:: Yes; Voltage class(V):: 650; Ic
WEEN

YEU33CA0503AV

 Package : DFN3310-10; Configuration : Uni-Dir; Typical Capacitance at 1MHz (pF) : 0.4; VRWM, Rever
THINKING

5.0SMDJ

 Package : DO-214AB; Peak Pulse Power Dissipation (W) : 5000 W; Reverse Standoff Voltage (V) : 11V-170V;
THINKING

VSE076C03MD

 Package : PDFN3333 Dual;Type : NMOS;BVDSS[V] : 30.00;BVGS[V] : 20.00;
VGSEMI

SM4F

 Package : SOD-123FL; Peak Pulse Power Dissipation (W) : 400 W; Reverse Standoff Voltage (V) : 5V-200V;
THINKING

TPSMCJ

 Package : DO-214AB; Peak Pulse Power Dissipation (W) : 1500W; Reverse Standoff Voltage (V) : 5V-170V;
THINKING
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