东微半导体：募资5.48亿元，投向SiC和GaN

7月2日，东微半导体发布公告，拟发行可转债募集资金总额（含发行费用）不超过14.36亿元（含14.36亿元），资金将用于新型功率器件技术和产品研发及产业化项目、新一代功率管理控制芯片研发及产业化项目、研发中心建设项目并补充流动资金。

其中，新型功率器件技术和产品研发及产业化项目总投资为5.48亿元，项目包括SiC功率器件、GaN功率器件、第四代半导体氧化镓、硅基功率器件、先进封装技术等方面，实施主体为苏州东微半导体股份有限公司，实施地点为江苏省苏州市。

推进高端SiC功率器件国产化

根据公告，该项目将继续拓展东微半导体SiC器件从耐压3300V至10kV的各个平台，推进SiC JFET、SiC Super Junction MOSFET 等差异化产品的研发，补充他们在高端SiC器件领域的产品布局，形成一系列超高耐压SiC MOSFET产品及低内阻SiC JFET产品，确保数据中心电源、固态变压器等领域的关键SiC器件的供应链安全。

加速GaN功率器件产业化布局

根据公告，该项目将推动东微半导体高压、中压、低压GaN HEMT器件研发及产业化，完善他们的GaN产品矩阵，以期把握数据中心电源市场快速增长的窗口期。

文件进一步披露，东微半导体已在SiC MOSFET领域已取得关键进展，第二代、第三代650V和1200V平台多个产品已进入稳定交付阶段，1700V系列产品已通过客户测试并获得订单，650V/750V/1200V 第四代 SiC MOSFET 已研发成功并推进客户验证。

此外，截至2025年末，东微半导体已在低压GaN HEMT技术取得了阶段性突破，多个电压等级产品已完成扩充并积极推进客户验证，推向量产。

公告显示，本次项目建设期为36个月。项目建成后，东微半导体将实现新研发产品在数据中心电源、新能源汽车、固态变压器等市场的规模销售。

据“行家说三代半”此前报道，今年4月，东微半导体披露2025年年度报告，报告显示，东微半导体2025年营业收入约为12.53亿元，其中SiC器件产品（含Si2C MOSFET）报告期内实现营业收入125.69万元，较2024年同期增长97.45%。

东微半导体表示，报告期内，他们积极推进在SiC系列产品的研发和量产工作，目前SiC器件产品已经获得台达、翌工电子、思格新能源、北斗星电子、陆巡科技等客户订单，产品已进入AI服务器、算力电源、通信电源、基站电源等领域。

苏州东微半导体股份有限公司成立于2008年，于2022年2月10日登陆科创板上市，是一家Fabless功率半导体设计企业，主要产品包括高压超级结MOSFET（GreenMOS）、屏蔽栅MOSFET（SGT）、TGBT及650V–1700V SiC MOSFET/GaN FET等。2026年Q1，东微半导体AI服务器电源业务占比达43%，是其核心增长来源。

值得一提的是，今年6月，东微半导体携自研SiC产品方案参加行家说三代半举办的“碳化硅赋能未来：数据中心·电驱·能源技术应用创新峰会”，会上，他们透露目前已完成HVDC AIDC全链条SiC产品布局规划，覆盖AC-DC前端PFC、板载DC-DC、断路器等全应用节点，迭代新品稳步推进。