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台積電 三星 - 三星宣布2030年量产1nm 与台积电争夺工艺话语权

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快科技4月3日消息,台積台积据媒体报道,電星电争夺工三星近日宣布,星宣计划于2030年前实现1nm制程的布年量产,成为业界首家公开披露1nm生产节点时间表的量产厂商,意图与台积电争夺先进制程话语权。艺话语权

目前,台積台积台积电对外公布的電星电争夺工最先进制程路线图已迈入埃米时代。其下一代逻辑制程A14(1.4nm)预计于2028年投入生产。星宣

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台积电强调,布年A14制程旨在通过提供更快的量产运算速度与更高的能效,推动AI转型,艺话语权同时有望强化终端设备的台積台积AI功能,使智能手机更加智能。電星电争夺工

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台积电此前表示,星宣A14制程开发进展顺利,良率优于预期,搭载超级电轨(SPR)技术的版本计划于2029年推出。

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此外,隶属于2nm家族的A16制程,作为台积电迈入埃米制程的首站,计划于2026年下半年量产。业界曾传出,OpenAI自研的ASIC芯片正由博通、迈威尔(Marvell)等美系厂商合作开发,并已在台积电的3nm及A16制程投片生产。

产业人士透露,三星晶圆代工部门规划在2030年前完成1nm制程研发并进入量产。由于1nm制程的电晶体密度是2nm的两倍,技术难度显著提升,被视为芯片微缩的关键里程碑。

为突破物理极限,三星1nm制程的主力架构将从现行的环绕式闸极(GAA)转向“叉型片”(fork sheet)结构,通过在纳米片之间加入绝缘层,进一步提升电晶体密度,从而改善功耗与性能。

受AI对高阶芯片需求旺盛的推动,三星持续加大研发与资本支出,2025年投入总额已达90.4兆韩元,2026年将再增加22%,显示出其追赶乃至超越竞争对手、抢占AI芯片与高频宽记忆体(HBM)等新兴领域话语权的决心。

与此同时,三星也在同步优化现有先进制程,积极争取重量级客户订单。产业人士指出,三星已开发出客制化2nm制程“SF2T”,主要供应特斯拉下一代AI芯片AI6,预计于2027年在三星德州新厂量产。

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