• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Наука в Питерской Вышке – это

  • математическое моделирование экономических систем и процессов, дизайн экономических механизмов;
  • методология и подходы глобальной, сравнительной и транснациональной истории в различных областях исторических исследований;
  • новые физические явления в полупроводниковых и диэлектрических наноструктурах;
  • передовые методы компьютерных наук, включая машинное обучение и компьютерную лингвистику;
  • пространственная экономика регионов и городов;
  • социально-экономическое и политическое развитие обществ и государств мира;
  • структурная биоинформатика и компьютерный молекулярный дизайн.
24 научные лаборатории
30 зарубежных партнеров
из 18 стран

Ученые НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург проводят прикладные научные исследования по заказам ОАО Газпромнефть, ПСПбГМУ им. И.П. Павлова, СПб ГАУ «Центр занятости населения Санкт-Петербурга», Комитет общественных коммуникаций Ленинградской области, СПб ГАУ «Центр трудовых ресурсов», АНО «Международный центр социально-экономических исследований «Леонтьевский центр» и др.

Мы открыты к новым коллаборациям и совместным проектам – по вопросам сотрудничества обращайтесь к руководителям лабораторий или в управление научных исследований.

НИУ ВШЭ в академических соцсетях

ResearchGate

Google Scholar

Academia

Новости

В Питерской Вышке продолжается набор российских постдоков. Кандидаты наук или обладатели международной степени PhD могут стать частью команд лабораторий и научных центров НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и реализовывать проекты в разных областях знаний. В материале рассказываем, каких специалистов ждут в университете, над чем работают постдоки и что дает программа.
6 марта
В конкурсе могут принять участие научные (научно-исследовательские) структурные подразделения Вышки, планирующие проведение совместных научных исследований с зарубежными университетами и научными центрами.
2 марта
Сотрудники Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург выявили температурную устойчивость InGaN/GaN микролазеров. Исследование открывает новые возможности для создания фотонных схем, передающих данные в электронных устройствах. Работа опубликована в журнале «Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки».
27 февраля

Научные онлайн-издания

Бюллетень об академическом развитии

Научно-образовательный портал НИУ ВШЭ