RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
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RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSS1038-333MLC | 1 | Coilcraft Inc | General Purpose Inductor, 33uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 4039, ROHS COMPLIANT |
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暂无数据 | 查看 | |
| GRM188R61A106KE69D | 1 | Murata Manufacturing Co Ltd | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 10V, 10% +Tol, 10% -Tol, X5R, 15% TC, 10uF, Surface Mount, 0603, CHIP, ROHS COMPLIANT |
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$0.14 | 查看 | |
| 1803617 | 1 | Phoenix Contact | Modular Terminal Block, 8A, 1.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s), ROHS COMPLIANT |
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$7.79 | 查看 |
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