RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
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RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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| HBL5006HT1G | 1 | onsemi | LED Electronic Shunt, 3000-REEL |
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$0.44 | 查看 | |
| 06035A101JAT2A | 1 | Kyocera AVX Components | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 100pF, 50V, ±5%, C0G/NP0, 0603 (1608 mm), Sn/NiBar, -55º ~ +125ºC, 7" Reel |
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$0.1 | 查看 | |
| ACBQ20TTEB101K/101M | 1 | KOA Corporation | RC Network, Bussed, 1W, 100ohm, 20V, 0.0001uF, Surface Mount, 20 Pins, ROHS COMPLIANT |
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暂无数据 | 查看 |
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