背景
支持一款nor flash时，出于性能考虑，一般会查看其nor支持的最高频率以及主控端spi控制器的最高频率，以选择一个合适的运行频率。 主控端的最高频率，可以查看主控的规格书，本文主要说下nor的频率限制。
让我们带着问题出发，假设我们的主控端最高spi clk为100M，那该怎么识别nor的限制，驱动又可以怎么处理？ 正确识别频率限制
让我们打开nor的规格书，搜索 "freq", 很容易看到104M， 133M之类的字样 。 看来我应该把标题取成 “震惊，nor flash最慢的一条命令竟然是...”
那下面的fT和fQ标注的84M又是什么意思？ 多看几款规格书，我们就可以发现，READ并不孤单，有些nor flash，不止READ跑不到100M，读ID之类的命令也跑不到100M。

nor flash之频率限制

支持一款nor flash时，出于性能考虑，一般会查看其nor支持的最高频率以及主控端spi控制器的最高频率，以选择一个合适的运行频率。

nor flash之频率限制

下主面要介绍下nor flash写保护，这个是可以在驱动层面做的。
nor写保护
写保护是nor提供的功能，即可以通过配置一些寄存器，将某些区域保护起来。 BP保护
大多数nor flash支持使用BP位来配置写保护，这种保护的特点是其保护的数据是成片的，一般是从flash头部开始的一片数据，或者从flash尾部开始的一片数据。 不同厂家的保护bit设置都不太一样，涉及到BP bit，SEC bit, CMP bit等，每适配一款新的nor，都得重新查下规格书才行。

nor flash之写保护

没有电池的嵌入式设备，很容易发生随机掉电。因此要让产品可靠稳定，就必须保证各种场景下的掉电安全。

nor flash之写保护

设置: 物理基地址(phys), 大小(size), 位宽(bankwidth), 虚拟基地址(virt) */
	s3c_nor_map->name = "s3c_nor";
	s3c_nor_map ->phys = 0;
	s3c_nor_map->size = 0x1000000; /* >= NOR的真正大小 */
	s3c_nor_map->bankwidth = 2;
	s3c_nor_map ->virt = ioremap(s3c_nor_map->phys, s3c_nor_map->size);

	simple_map_init(s3c_nor_map);
	
	/* 3. s3c_nor_mtd)
	{
		printk("use jedec_probe\n");
		s3c_nor_mtd = do_map_probe("jedec_probe", s3c_nor_map */
	add_mtd_partitions(s3c_nor_mtd, s3c_nor_parts, 2);
	
	return 0;
}

static void s3c_nor_exit(void

17.NOR FLASH驱动

NOR FLASH硬件原理参考：https://blog.csdn.net/qq_16933601/article/details/102653367

17.NOR FLASH驱动

Linux NOR 开发指南
1 简介
编写目的
此文档描述Sunxi NOR 模块的使用方法，为相关人员调试提供指导
适用范围 
boot0: 适用于brandy-2.0
u-boot: 适用于 Framework：这层主要是处理不同厂家的NOR 物理特色差异，初始化SPINOR的工作状态，如工作线宽（1 线、2 线、4 线、8 线）、有效地址位（16M 以上的NOR 需要使用4 地址模式）， 对应代码目录：drivers/mtd/spi-nor/spi-nor.c
M25P80（generic SPI NOR controller driver）：这层主要对SPI NOR Framework //配置根据需求选择
All available flash: //flash类型，只区分nor和非nor方案，Android方案无此选项，默认非nor
	0. default
	1. nor
Choice ├─spi-nor.c ---spi nor驱动代码
└──其他
├── spi --spi的接口代码
└── makefile ---编译文件
版
3 接口描述
3.1 驱动物理层接口
3.1.1

Linux NOR 开发指南

SPI NOR Framework：这层主要是处理不同厂家的NOR 物理特色差异，初始化SPINOR的工作状态，如工作线宽（1 线、2 线、4 线、8 线）、有效地址位（16M 以上的NOR 需要使用4 地址模式），为上层MTD 提供读写擦接口。

Linux NOR 开发指南

最近研究了下nor flash的掉电问题，对nor的掉电有了更多的认识。总结分享如下
擦除从0变1，写入从1变0
nor flash的物理特性是，写入之前需要先进行擦除。 多次写入的例子
在uboot中就有一个利用nor这个特性的例子。当使用了冗余env功能时，flash上会维护两份env，我们记为envA和envB吧。 对此uboot支持几种策略，其中一种可适用于nor的策略FLAG_BOOLEAN，uboot会在env的头部结构中，使用了一个字节flags来表示其是否有效。 写入过程掉电
对于nor来说，一次写入可以连续写256 bytes，那如果在中途发生了掉电，再次上电后读出来的数据会是什么样的呢？ 当写入一笔数据时，nor就是按顺序写入的，掉电后的数据特征为前面部分数据是正确数据，后面部分数据是0xFF。前后的交界点并未对齐到256 bytes。

nor flash之擦除和写入

最近研究了下nor flash的掉电问题，对nor的掉电有了更多的认识。总结分享如下

nor flash之擦除和写入

NAND NOR FLASH闪存产品概述
随着国内对集成电路，特别是存储芯片的重视，前来咨询我们关于NOR Flash，NAND Flash，SD NAND, eMMC, Raw NAND的客户越来越多了 擦写寿命长；5，耐高低温冲击；6，容量适宜（128MB~4GB）
具体可以可以看链接：http://www.longsto.com/product/31.html
我们把存储产品大概分为E2PROM，NOR 二，NOR Flash
是目前应用领域最广泛的一种存储芯片了.基本上主流的电子产品里都有使用。甚至我们手机摄像头内部，屏幕驱动电路板上都会用到。主要用来存储代码和一些比较小的数据文件。 主流是SPI NOR接口; 主流容量:1Mbit~128Mbit; 封装：SOP-8居多，也有更小的；尺寸也都比较小。

NOR Flash架构决定了它的容量不能做大，而且读取速度比较慢。

NAND NOR FLASH闪存产品概述

随着国内对集成电路，特别是存储芯片的重视，前来咨询我们关于NOR Flash，NAND Flash，SD NAND, eMMC, Raw NAND的客户越来越多了。这里我们专门写了这篇文章：1，把常用的存储产品做了分类; 2把一些产品的特点做一个描述。

NAND NOR FLASH闪存产品概述

之前有介绍过写保护，这里就不赘述了，可参考：https://www.cnblogs.com/zqb-all/p/12182920.html
但没有谈到开销，今天有同事问起，便记录一下
性能
不考虑写保护的nor

nor flash之写保护开销

之前有介绍过写保护，这里就不赘述了，可参考：https://www.cnblogs.com/zqb-all/p/12182920.html

nor flash之写保护开销

擦写寿命长；5，耐高低温冲击；6，容量适宜（128MB~4GB）
具体可以可以看链接：http://www.longsto.com/product/31.html
我们把存储产品大概分为E2PROM，NOR 二，NOR Flash
是目前应用领域最广泛的一种存储芯片了.基本上主流的电子产品里都有使用。甚至我们手机摄像头内部，屏幕驱动电路板上都会用到。主要用来存储代码和一些比较小的数据文件。 主流是SPI NOR接口; 主流容量:1Mbit~128Mbit; 封装：SOP-8居多，也有更小的；尺寸也都比较小。
NOR Flash架构决定了它的容量不能做大，而且读取速度比较慢。 二，NOR Flash
是目前应用领域最广泛的一种存储芯片了.基本上主流的电子产品里都有使用。甚至我们手机摄像头内部，屏幕驱动电路板上都会用到。主要用来存储代码和一些比较小的数据文件。 主流是SPI NOR接口; 主流容量:1Mbit~128Mbit; 封装：SOP-8居多，也有更小的；尺寸也都比较小。
NOR Flash架构决定了它的容量不能做大，而且读取速度比较慢。

带你了解NAND NOR FLASH闪存

在正式开始介绍之前，给大家介绍一款非常易用稳定的Flash：CS创世 SD NAND。具备如下特点：

带你了解NAND NOR FLASH闪存

各种NAND器件的存取方法因厂家而异。NAND Flash一般地址线和数据线共用，对读写速度有一定影响；根据这一原则，设计人员也可以把两种闪存芯片结合起来使用，用NOR芯片存储程序，用NAND芯片存储数据，使两种闪存的优势互补。在NOR闪存上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND闪存上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR闪存在进行写入和擦除操作时都需要MTD 

NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
NOR的读速度比NAND稍快一些。
NAND的写入速度比NOR快很多。 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。 NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。
 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。 由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难. NOR闪存的可靠性要高于NAND闪存，这主要是因为NOR型闪存的接口简单，数据操作少，位交换操作少，因此可靠性高，极少出现坏区块，因而一般用在对可靠性要求高的地方。

NAND FLASH 和NOR FLASH的区别

Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NAND FLASH 和NOR FLASH的区别

情况是这样的，Hadoop ha下，集群QJM的数据丢了，之后启动namenode后报Journal Storage Directory nor formatted，导致namenode启动失败

Hadoop ha之Journal Storage Directory nor formatted

    情况是这样的，Hadoop ha下，集群QJM的数据丢了，之后启动namenode后报Journal Storage Directory nor formatted，导致namenode启动失败，如下List-1所示:

Hadoop ha之Journal Storage Directory nor formatted
                                                  

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