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STB80NF55-06-1

更新时间:2025-06-13 17:21:19

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STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

封装:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

STB80NF55-06-1 概述

STB80NF55-06-1是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。它采用TO-220封装，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。该器件最大漏源电压为55V，连续漏极电流可达80A，在需要高效电源管理的场合表现优异。其栅极电荷较低，有助于实现快速开关操作。这款MOSFET适用于各种功率转换应用如DC-DC转换器、不间断电源(UPS)系统、电机驱动电路以及电池管理系统等。在实际应用中，建议根据具体的工作条件选择合适的栅极驱动电阻以优化开关速度，并确保充分散热以维持长期可靠运行。设计时应注意遵循制造商提供的电气参数范围，避免超过最大额定值，以防损坏元件。

STB80NF55-06-1 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.5 毫欧 @ 40A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
189nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4400pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装
I2PAK
包装
管件

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