On the electrical properties of slotted metallic planes in CMOS processes for RF and millimeter-wave applications
Carregant...
Fitxers
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:
Títol de la revista
ISSN de la revista
Títol del volum
Cita com:
Col·laborador
Editor
Tribunal avaluador
Realitzat a/amb
Tipus de document
Article
Data publicació
Editor
Condicions d'accés
Accés restringit per política de l'editorial
Llicència
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització de la persona titular dels drets
Publicacions relacionades
Datasets relacionats
Projecte CCD
Abstract
This paper presents a study of the effects of slottedmetallicplanes in passive structures built using CMOSprocesses for RF and millimeter-wave (mmW) applications. The impact of holes on the reference plane resistance and in the capacitance of any surrounding structure to the plane are investigated through electromagnetic (EM) simulations. Two analytical expressions are derived that capture the holes impact on the plane resistivity and on the dielectric constant of the materials found between the plane and the surroundings. These expressions are used to propose a simplified EM simulation methodology for on-chip microstrip transmission lines.
Descripció
Persones/entitats
Document relacionat
Versió de
Citació
González, J.; Martineau, B.; Belot, D. On the electrical properties of slotted metallic planes in CMOS processes for RF and millimeter-wave applications. "Microelectronics journal", 17 Maig 2012, vol. 43, núm. 8, p. 582-591.
Ajut
Forma part
Dipòsit legal
ISBN
ISSN
0026-2692