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威刚预警：2026 年 Q3 内存将涨价 20%-30%，闪存将涨价 35%-40%

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铠侠-闪迪 BiCS10（332 层）3D NAND 闪存进入出样阶段，首款产品为 1Tb TLC

07月03日 0评

SK 海力士官宣韩国清州 M17 NAND 晶圆厂 80 万亿韩元建设投资

07月02日 0评

消息称 SK 海力士有望时隔多年重启韩国本土 NAND 闪存晶圆厂建设

06月26日 0评

联想谈 DRAM 价格：就算未来产能大幅提升，价格可能跌不回一年前水平

06月24日 0评

冲击 1000 层：三星披露 NAND 规划，SSD 容量目标 4 倍提升

06月24日 0评

闪迪新专利：将 NAND 闪存堆叠在计算芯片下方，破解存储瓶颈

06月22日 0评

消息称 SK 海力士 V10 NAND 采用 375 层堆叠设计，2026 年内量产

06月11日 0评

消息称 SK 海力士将在大连二厂建设“200 层中段”FG NAND 产线

06月04日 0评

铠侠计划 2026 年夏天出样下代 BiCS10 1Tb TLC NAND 闪存

06月03日 0评

CounterPoint 报告 2026Q1 全球 NAND 闪存同比增至 3.5 倍，三星继续领跑

06月03日 0评

全球首个，消息称三星电子完成 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型开发

05月25日 0评

TrendForce：主要 NAND 原厂 2026 年几无新增产能，供给短缺预计持续全年

05月25日 0评

消息称铠侠计划 2027 年量产 BiCS10（332 层）3D NAND 闪存

05月23日 0评

64Gb MLC NAND 现货价涨超 300%，三星、铠侠减产引发 2D NAND 闪存供应断崖式下跌警报

05月13日 0评

消息称三星电子讨论重启半导体新业务，V10 NAND 是一大重点

05月11日 0评

IDC 预测：全球 DRAM、NAND 收入 2026 年分别增长 177% 和 138.5%

05月07日 0评

旺宏抓住三星退场窗口：补位入门级存储芯片，MLC NAND 收入 2026Q1 同比增长 382%

04月29日 0评

消息称三星电子有望时隔 5 年再度大规模投资 NAND 闪存新产能

04月17日 0评

集邦咨询：DDR4 现货价周跌 1.18%，DRAM 内存市场温和下行

04月08日 0评