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IRF3707STRRPBF

更新时间:2025-05-20 00:43:09

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市芯国创科技有限公司
IRF3707STRRPBF
BOM配单
只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
上传BOM

我要上特价
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今日特价
展示实力的机会，更是体现服务的开始！

斯耐尔（深圳）科技有限责任公
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8956
IR
TO263/1647+
优势库存，特价出售一站式配单服务

深圳市安富世纪电子有限公司
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105000
FAGOR
INSULATEDTO220AB/23+
十年配单，只做原装

深圳市威雅利发展有限公司
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9000
Infineon Technologies
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/23+
原厂渠道，现货配单

深圳市创芯联盈电子有限公司
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100500
IR
TO263/2519+
一级代理专营品牌原装，优势现货，长期排单到货

深圳市芯乐创科技有限公司
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只做原装，专注提供BOM配单服务

深圳市万佳电子贸易有限公司
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9400
IR
TO263/23+
原装现货

深圳市科翼源电子有限公司
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16798
IR
TO263/26+
原装现货

深圳市粤东诚信电子有限公司
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TO263/24+
原装，一站式BOM配单

深圳市华美锐电子有限公司
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TO263/26+
采购专家，只做原装现货

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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FAGOR
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可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市莱克讯科技有限公司
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TO263/1904+
原包装正品渠道现货库存

深圳市赛美科科技有限公司
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TO263/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

蓝界科技（深圳）有限公司
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3000
Infineon Technologies
D2PAK/16+
代理直销，公司原装现货供应

上海熠富电子科技有限公司
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TO263/2024
上海原装现货库存，欢迎咨询合作

深圳市金灿利电子科技有限公司
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168000
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TO263/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

深圳市斌腾达科技有限公司
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3200
Infineon Technologies
D2PAK/19+/20+
100%进口原装长期供应绝对优势价格(诚信经营)

昂富（深圳）电子科技有限公司
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TO263/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

深圳市硅宇电子有限公司
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Infineon(英飞凌)
DPAK/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单

深圳市河锋鑫科技有限公司
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9000
Infineon Technologies
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/2024+
原厂渠道，现货配单

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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8913
VBSEMI/台湾微碧
D2PAK/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

深圳市英特翎科技有限公司
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8000
Infineon Technologies
-/23+
英特翎科技原装

深圳市拓华芯诺科技有限公司
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10000
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STK

深圳市金灿利电子科技有限公司
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128000
IR
TO263/23+
全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

深圳市思跃电子有限公司
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20000
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深圳市富科达科技有限公司
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27779
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全新原装进口现货特价热卖，长期供货

贸泽芯城（深圳）电子科技有限
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亚太地区一级代理，二十年BOM配单专家，原装现货

艾润（香港）电子有限公司
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深圳市泰佳兴电子有限公司
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SOT263/-
大量现货，提供一站式配单服务

深圳市英德州科技有限公司
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15500
Infineon Technologies
D2PAK/23+
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深圳市誉辉天成电子有限公司
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1930
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IRF3707STRRPBF外观图

IRF3707STRRPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

IRF3707STRRPBF 概述

IRF3707STRRPBF是由国际整流器公司（现为英飞凌科技的一部分）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，适用于表面贴装工艺。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关性能，在10V栅极驱动下最大导通电阻仅为20mΩ。这款MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、电源管理电路以及电机控制等领域。例如，在笔记本电脑和平板电脑的电源管理系统中，可用于实现高效能的电压调节。在电机控制系统中，能够作为H桥或半H桥电路的关键开关元件使用。在实际应用时需要注意，由于其最大漏源电压为30V，因此不适合高压应用场景。同时建议在PCB布局时优化热设计，确保良好的散热效果以维持稳定工作温度。对于高频开关应用，应考虑适当的栅极电阻来抑制振铃现象。

IRF3707STRRPBF 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
62A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
12.5 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1990pF @ 15V
功率 - 最大
87W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)

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